天津中环申请一种半导体喷砂后清洗系统及工艺专利,简化槽体减少清洗设备占地面积

天津中环申请一种半导体喷砂后清洗系统及工艺专利,简化槽体减少清洗设备占地面积
2024年11月26日 14:16 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月26日消息,国家知识产权局信息显示,天津中环领先材料技术有限公司 申请一项名为“一种半导体喷砂后清洗系统及工艺”的专利,公开号 CN 119016415 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本发明提供了一种半导体喷砂后清洗系统及工艺,涉及半导体清洗技术领域,该系统包括依次设置的预清洗部、砂浆去除部以及清洗部,其中,预清洗部用于清洗硅片表面的砂粒,包括第一槽体,第一槽体内均设置鼓泡管;砂浆去除部用于去除硅片表面的砂浆,包括第二槽体,第二槽体内设置第一清洁剂;清洗部用于对硅片进行表面颗粒及金属离子去除,包括依次设置的第三槽体、第四槽体和第五槽体,第四槽体内设置抛动托架和超声结构,且第四槽体内设置第二清洁剂,第三槽体与第五槽体均设置喷淋管和鼓泡管,简化了槽体,减少了清洗设备的占地面积。该工艺,采用上述系统,包括预清洗、砂浆去除、表面颗粒及金属离子去除,极大地提高了清洗良率。

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