本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶亦精微科技股份有限公司申请一项名为“一种 CMP 研磨方法”的专利，公开号 CN 119017247 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种 CMP 研磨方法，包括：将待研磨的晶圆置于研磨垫上；晶圆表面依次存在氮化硅膜层、氧化物膜层和多晶硅膜层；第一研磨步骤，引入具有第一膜层选择比的第一研磨液对晶圆进行研磨，去除多晶硅膜层；第二研磨步骤引入具有第二膜层选择比的第二研磨液对晶圆进行研磨，去除氧化物膜层；实时获取晶圆对研磨垫的摩擦系数，得到摩擦系数曲线；当摩擦系数的变化速率小于第一预设变化速率时，停止第一研磨步骤；当摩擦系数的变化速率小于第二预设变化速率时，停止第二研磨步骤；清洗晶圆。本发明提供的 CMP 研磨方法可以提升针对晶圆表面不同膜层的 CMP 工艺效率、质量、稳定性和生产率，提高产品良率，节省工艺成本。
