芯联越州申请键合结构及其制备方法专利,控制不同真空度

芯联越州申请键合结构及其制备方法专利,控制不同真空度
2024年11月26日 19:55 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月26日消息,国家知识产权局信息显示,芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请一项名为“一种键合结构及其制备方法”的专利,公开号 CN 119018843 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本发明提供一种键合结构及其制备方法,在两个键合片的第一区域和第二区域形成不同厚度的键合结构,如此,当两个键合片上下叠放时,第一区域的键合结构能够彼此接触,而第二区域的键合结构之间具有间距,先对彼此接触的键合结构进行熔融以先对第一空腔进行封闭,再通过继续施加压力使得彼此之间具有间距的键合结构相互接触后熔融以对第二空腔进行封闭,由于所述第一空腔和所述第二空腔在不同的真空下分别封闭,因此具有不同的真空度。由此,本发明提供的制备方法,通过控制不同厚度键合结构互熔先后顺序,配合键合过程中控制真空度,使得第一空腔及第二空腔封闭后具有不同真空度。

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