本文源自:金融界
金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“氮化硅薄膜沉积方法”的专利，公开号 CN 119020749 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明提供了一种氮化硅薄膜沉积方法，包括采用目标反应气体在基层表面沉积第一层氮化硅薄膜，在达到第一厚度后暂停沉积；采用蚀刻气体去除第一层所述氮化硅薄膜表面的不稳定薄膜，其中所述不稳定薄膜为厚度大于预设蚀刻厚度的氮化硅薄膜重复采用上述过程继续在蚀刻后剩余的顶层所述氮化硅薄膜表面沉积下一层的氮化硅薄膜并进行表面蚀刻，直至形成的氮化硅薄膜的厚度达到目标厚度，完成氮化硅薄膜的沉积过程。本发明能够保证沉积效果，防止沉积厚度过大造成薄膜颗粒指标恶化的问题。
