常州臻晶半导体申请籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法专利,减缓籽晶杆下移速度

常州臻晶半导体申请籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法专利,减缓籽晶杆下移速度
2024年11月27日 09:55 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月27日消息,国家知识产权局信息显示,常州臻晶半导体有限公司申请一项名为“籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法”的专利,公开号 CN 119020867 A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本发明属于半导体技术领域,具体涉及处理半导体的装置,尤其涉及籽晶片定量腐蚀装置及其操作方法。本发明提供了一种籽晶片定量腐蚀装置,包括:反应筒,其内注有腐蚀剂;籽晶杆,其贯穿所述密封盘,且适于相对反应筒上下滑动;籽晶片,其设置在所述籽晶杆下端;缓冲件,其下端设置在密封盘上,且籽晶杆滑动缓冲件内部;联动件,其套设在籽晶杆外壁,且适于与缓冲件抵接;其中,籽晶杆带动联动件向下移动,至联动件与缓冲件抵接,所述缓冲件适于减缓籽晶杆下移速度;籽晶片腐蚀完成后,籽晶杆相对联动件向上移动,籽晶杆相对联动件周向转动,以甩落籽晶片底壁残留的腐蚀剂。

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