本文源自:金融界
金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海昊佰智造精密电子股份有限公司申请一项名为“一种对保护膜产品上虚断线切痕深度的检测方法”的专利，公开号 CN 119022867 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明涉及一种对保护膜产品上虚断线切痕深度的检测方法，其中保护膜产品包括通过虚断线连接的第一产品部与第二产品部，以及设于第一产品部上的产品孔；检测方法包括：通过穿过产品孔的连接件，将保护膜产品与拉力检测设备相连接，垂直于虚断线向第二产品部和/或拉力检测设备施加拉力，根据虚断线断裂时的拉力检测数值，或者根据达到设定拉力时的虚断线的断裂情况，判断虚断线切痕深度是否满足要求。与现有技术相比，本发明利用拉力设备实际力值判断虚断线是否切深，避免因人为判定的不稳定因素导致的误判，具有更高的精度。
