本文源自:金融界
金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体有限公司取得一项名为“一种高密度沟槽栅IGBT器件”的专利，授权公告号CN 222051746 U，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体产品技术领域，公开了一种高密度沟槽栅IGBT器件，所述IGBT芯片组件内装于盒盖组件的腔室内部，所述脚座组件底装于盒盖组件的壳体底部，且盒盖组件、IGBT芯片组件、脚座组件之间通过安装于其边角端的紧固螺栓一体拧接固定。本实用新型通过利用带有散热风窗的盒盖组件对IGBT芯片组件的通风式罩盖，以及利用带有导热翅片的脚座组件对IGBT芯片组件的的底封，其一方面具有良好的一体式封装性能，提高安装一体便捷性，另一方面具有上下导通散热性能，能够对IGBT芯片组件产生的机械热进行上下双同步导通散热工作，提高机械热散热效率，避免出现热量汇聚无法排散，影响IGBT芯片组件正常工作运转的情况。
