本文源自:金融界
金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海海姆希科半导体有限公司取得一项名为“一种具有高可靠性封装结构的功率器件”的专利，授权公告号CN 222051744 U，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本实用新型属于半导体封装技术领域，提供一种具有高可靠性封装结构的功率器件，包括覆铜陶瓷基板，其设有基板上铜层，在基板上铜层一侧设有芯片；封装层，设置于覆铜陶瓷基板一侧，其对覆铜陶瓷基板设有芯片的一侧包覆，封装层与覆铜陶瓷基板粘接形成一个整体，其中，封装层的热膨胀系数低于覆铜陶瓷基板中铜的热膨胀系数。本申请通过设置热膨胀系数较低、模量较大的封装层，以此抵抗覆铜陶瓷基板在受热过程中产生的应力形变，从而降低覆铜陶瓷基板的弯曲程度，提高功率器件器件的可靠性和使用寿命。
