本文源自:金融界
金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，成都氮矽科技有限公司取得一项名为“一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构”的专利，授权公告号CN 222051760 U，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装结构，在传统框架上增加了金层，基板与增强型氮化镓功率芯片的源极通过第一金属线和金层导通，实现与基板的封装结构和氮化镓功率芯片衬底的互连，氮化镓功率芯片的栅极与漏极通过第一金属线与金层连接，再通过第二金属线与管脚连接，氮化镓芯功率芯片的各极通过高压隔离区进行隔离，如此便可再不改变通用TO‑247‑4框架结构的前提下完成增强型氮化镓功率半导体器件在此框架上的封装。
