本文源自:金融界
金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，忱芯科技（上海）有限公司申请一项名为“一种并联SiC MOSFET器件的一致性筛选方法”的专利，公开号CN 119026544 A，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本申请公开了一种并联SiC MOSFET器件的一致性筛选方法，包括：构建SiC MOSFET器件的开关瞬态电流和特性参数之间的关系模型；基于关系模型获取待筛选的SiC MOSFET器件在并联电路中的电流分配差异性；将电流分配差异性换算为距离参数，使用基于密度的聚类算法将器件按照距离参数划分为不同分组；对同一分组的器件进行层次聚类，按照一致性排序结果筛选出用于并联的器件。本方案能够提高并联SiC MOSFET器件筛选的精度和效率。
