本文源自:金融界
金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“版图结构和多次可编程存储器”的专利，公开号CN 119026557 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种版图结构和多次可编程存储器。版图结构包括：衬底，包括P型阱区和N型阱区；其中，P型阱区包括第一电阻调节区，第一电阻调节区包括P型接触区，P型接触区用于连接外部第一金属线；N型阱区包括第二电阻调节区，第二电阻调节区包括N型接触区，N型接触区用于连接外部第二金属线；浅沟槽隔离结构，位于P型阱区和N型阱区之间，其中，位于浅沟槽隔离结构的底部的第一电阻调节区朝向浅沟槽隔离结构的投影面积，大于位于浅沟槽隔离结构的底部的第二电阻调节区朝向浅沟槽隔离结构的投影面积。如此，增大了P型阱区与相邻N型阱区之间漏电路径上的路径电阻，从而降低了P型阱区与相邻N型阱区之间的漏电。
