本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“等离子刻蚀装置及等离子刻蚀方法”的专利，公开号CN 119028797 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请公开一种等离子刻蚀装置及等离子刻蚀方法，涉及等离子刻蚀技术领域，所述等离子刻蚀装置包括：腔体，所述腔体的顶部设有允许主刻蚀气体的等离子体进入的开口；第一匀气栅格，连接所述腔体的内顶部并覆盖所述开口；第二匀气栅格，位于所述第一匀气栅格的下方，并连接所述腔体的内侧壁；至少一个进气调节装置，所述进气调节装置包括进气组件，所述进气组件设于所述第一匀气栅格和所述第二匀气栅格之间的腔体的内侧壁，并设有至少一个用于连通外部和所述腔体的辅助调节气体的进气通道。本申请所述的等离子刻蚀装置能够对刻蚀均匀性进行调节。
