本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“封装结构及其制造方法、存储器”的专利，公开号 CN 119028916 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种封装结构及其制造方法、存储器，该封装结构包括：堆叠件，堆叠件包括多层交错层叠的芯片；其中，各芯片均包括正对部和错开部，各芯片的正对部在垂直于芯片层叠方向的平面上的正投影均重叠，各芯片的错开部在垂直于芯片层叠方向的平面上的正投影均错开；塑封层，堆叠件位于塑封层内，塑封层包括相对的第一表面和第二表面；多个导电柱，沿芯片层叠的方向延伸，导电柱的第一端位于各芯片的错开部的表面，第二端延伸至塑封层的第二表面，塑封层包覆堆叠件和多个导电柱；重布线层，位于塑封层的第二表面上并与导电柱电连接。
