本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，星科金朋私人有限公司申请一项名为“半导体器件和在密封剂中形成通道以减少重构晶片中的翘曲的方法”的专利，公开号CN 119028919 A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，一种半导体器件，具有多个电元器件和沉积在该电元器件上的密封剂。密封剂的第一锯道将第一电元器件与第二电元器件分开。在第一锯道内的密封剂的第一表面中形成第一通道以减小应力。第二通道形成在与第一表面对置的密封剂的第二表面中并且在第一锯道内。第三通道形成在密封剂的第一表面中，并且在密封剂的第二锯道内，垂直于第一锯道。RDL形成在电元器件之上。RDL具有形成在电元器件上的绝缘层和形成在绝缘层上的导电层。绝缘层在第一锯道之前终止。
