本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN 119028902 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成沟槽；通过ISSG的方式对所述沟槽的侧壁和底部进行第一氧化处理，形成第一氧化层；通过RTO的方式对所述沟槽的侧壁和底部进行第二氧化处理，在所述第一氧化层和所述衬底之间形成第二氧化层；形成第二氧化层之后，在所述沟槽内填充介质以形成隔离结构。先后采用ISSG的方式和RTO的方式形成第一氧化层和第二氧化层，能够进一步提高隔离结构侧壁氧化物的质量，能够有效减少漏电、降低隔离结构与衬底之间界面的缺陷密度。
