本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，三星半导体（中国）研究开发有限公司申请一项名为“半导体封装结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119028941 A，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，公开了半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构，包括：支撑基底；芯片堆叠体，位于支撑基底的中心区域上并且包括多个芯片；第一接头，在支撑基底的第一边缘区域上，第一再布线层在第一接头上；第二接头在支撑基底的与第一边缘区域相对的第二边缘区域上第二再布线层在第二接头上；键合引线，将多个芯片分别电连接到第一再布线层和第二再布线层；虚设芯片，位于芯片堆叠体上；以及包封层，封装芯片堆叠体、虚设芯片、第一接头、第二接头和键合引线，其中，虚设芯片的上表面与包封层的上表面共面，外部连接端子在第一再布线层和第二再布线层上。
