本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，成都辰显光电有限公司申请一项名为“发光二极管模组及其制作方法”的专利，公开号 CN 119029113 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种发明发光二极管模组及其制作方法。该发光二极管模组包括：阵列基板，阵列基板包括驱动电路；至少一个微型发光二极管，设置于阵列基板上，微型发光二极管与驱动电路电连接；增高结构，设置于微型发光二极管远离阵列基板的一侧，且至少部分覆盖微型发光二极管；遮光结构，设置于阵列基板上，且暴露微型发光二极管。通过在微型发光二极管上设置增高结构，以增加微型发光二极管与非发光区域阵列基板的高度差，可以提高遮光结构的均一性，同时有利于增加遮光结构的厚度，提高遮光结构的遮光效果，而且可以保证发光二极管模组的出光效率。另外，可以避免采用干刻工艺去除溢流的遮光结构的材料时引入的残留以及阵列基板容易损伤的问题。
