耀驰科技申请水平结构LED芯片及其制备方法专利,提升光提取效率

耀驰科技申请水平结构LED芯片及其制备方法专利,提升光提取效率
2024年11月28日 12:56 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,江西耀驰科技有限公司申请一项名为“水平结构LED芯片及其制备方法”的专利,公开号CN 119029104 A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本发明公开了一种水平结构LED芯片及其制备方法,涉及半导体光电器件领域。LED芯片的制备方法包括以下步骤:S1、提供外延片;S2、刻蚀外延片表面形成多个凸起;S3、在步骤S2得到的外延片上形成介质层;S4、刻蚀介质层,形成第一通孔;S5、形成金属反射层;S6、在金属反射层上形成键合层;S7、与第二衬底键合;S8、去除第一衬底,暴露N型半导体层S9 在N型半导体层上形成N电极S10 刻蚀形成刻蚀至P型接触层的第二通孔;S11、形成P电极,得到LED晶圆;所述P电极通过所述第二通孔与所述P电极形成电连接;S12、将所述LED晶圆切割,得到水平结构LED芯片。实施本发明,可提升光提取效率,提升水平结构LED芯片的可靠性。

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