本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，一道新能源科技股份有限公司申请一项名为“种N型IBC电池及其制备方法”的专利，公开号CN 119029071 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明实施例提供了一种N型IBC电池及其制备方法，其中，方法包括:在N型硅片背面形成多个平行排列且间隔设置的凹槽；在N型硅片背面覆盖所述凹槽依次形成超薄隧穿氧化层、多晶硅层后，并对多晶硅层进行硼掺杂，形成P型掺杂多晶硅层；去除凹槽之间的P型掺杂多晶硅层，形成叉指状间隔排列的P型掺杂多晶硅层和N型掺杂区；在激光处理后，依次在硅片背面形成钝化层及栅线，制得N型IBC电池。本发明实施例通过对N型单晶硅衬底背面部分进行凹槽状设计并形成P型掺杂多晶硅层，能够增加P型掺杂区面积，减小硼掺杂浓度要求，P型掺杂多晶硅层的硼掺杂浓度仅为2E18～5E18个/cm3，光电效率可达25.1％，与常规N型IBC电池相比效率提高了0.4％。
