本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，深圳天狼芯半导体有限公司申请一项名为“半导体器件制备方法及电子设备”的专利，公开号 CN 119029049 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件、制备方法及电子设备。该半导体器件包括：包括衬底、埋入衬底内的控制栅，以及位于控制栅正下方衬底内的共用栅介质层、侧壁掺杂层，其中，共用栅介质层内包覆有相互绝缘的浮栅导电层、源栅导电层。通过浮栅导电层不接电位，可以分担控制栅底部的电场，进而增大器件的击穿电压，避免电场集中在控制栅底部而造成提前击穿，在器件处于导通状态时，侧壁掺杂层可以形成电子通道，以此可以降低导通电阻，达到了在增大器件的击穿电压的同时，降低器件的导通电阻的效果，提高了器件的品质因数，进而提高半导体器件的可靠性和电性。
