本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“电容耦合栅控结型场效应晶体管”的专利，公开号 CN 119029050 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请提供了一种电容耦合栅控结型场效应晶体管，包括衬底、外延层、多个重复单元；重复单元包括肖特基接触的源极金属和电容耦合栅控JFET结构；电容耦合栅控JFET结构包括：在外延层内的横向方向相对间隔设置的两个栅区；两个第一介质区，分别形成在两个栅区相对的内侧，且两个第一介质区之间具有间隔；两个耦合电容上电极，分别形成在两个第一介质区内；肖特基接触的源极金属填充在两个第一介质区之间的间隔处，肖特基接触的源极金属和外延层形成肖特基二极管单元。本申请至少解决了现有的电容耦合栅控结型场效应晶体管的反向恢复特性不足的技术问题。
