本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，天津威盛电子有限公司申请一项名为“包括形成有氧化电极层的 IDT 电极的表面声波器件及制造方法”的专利，公开号 CN 119030496 A，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，提供一种包括形成有氧化电极层的 IDT 电极的表面声波器件及制造方法。所述表面声波器件包括压电基板和形成在所述压电基板上的多个 IDT 电极，其中，所述多个 IDT 电极中的每一个包括:主电极层，其形成在所述压电基板上表面；上电极层，其形成在主电极层上；以及氧化电极层，其通过上电极层的氧化而在所述上电极层的上表面上形成，其中，所述多个 IDT 电极中的每一个的厚度(te)相对于所述氧化电极层的厚度(to)满足 0.011≤to/te≤0.333。
