本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119031695 A，申请日期为 2023 年 5 月。
专利摘要显示，公开一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底包括阵列区以及外围区，阵列区设置有第一导电结构，外围区设置有第二导电结构；第一介质层，第一介质层覆盖第一导电结构以及第二导电结构；第二介质层，第二介质层位于外围区，且覆盖第一介质层；其中，第一介质层的材料与第二介质层的材料不同；连接结构，连接结构位于外围区，连接结构包括相连接的第一部以及第二部，第一部穿过第二介质层和第一介质层与第二导电结构的顶表面电接触，第二部位于第二介质层上；电容结构，电容结构位于阵列区，电容结构穿过第一介质层与第一导电结构的顶表面电接触本公开实施例所提供的半导体结构及其制备方法至少可以简化制备半导体结构的工艺步骤。
