本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号 CN 119031713 A，申请日期为 2023 年 5 月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括存储区和逻辑区；在存储区形成相互分立且成对存在的存储栅结构，成对的存储栅结构之间具有第一开口，各存储栅结构包括位于衬底上的浮栅、位于浮栅上的控制栅介质层和位于控制栅介质层上的控制栅，第一开口暴露出至少部分浮栅的侧壁表面；在第一开口暴露出的浮栅表面以及控制栅表面形成保护层；在形成保护层之后，采用氧化工艺在逻辑区表面形成栅极氧化层；去除存储区上的保护层；在第一开口暴露出的浮栅表面以及控制栅表面形成隧穿介质层。所述半导体结构的形成方法减小了逻辑运算器件的氧化工艺对闪存器件的影响，减少了结构缺陷，提升了闪存器件的稳定性。
