爱思开海力士申请存储器装置以及存储器装置的制造方法专利,优化存储器单元阵列结构

爱思开海力士申请存储器装置以及存储器装置的制造方法专利,优化存储器单元阵列结构
2024年11月28日 18:46 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置以及存储器装置的制造方法”的专利,公开号CN 119031717 A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本公开涉及存储器装置以及存储器装置的制造方法。存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括多个单元插塞;第一狭缝,其将存储器单元阵列隔离成多个存储器区域,第一狭缝在第一方向上延伸;以及第二狭缝,其穿透多个存储器区域,第二狭缝被布置成在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开。多个存储器区域中的每个存储器区域中所包括的栅极线可以通过第一狭缝彼此隔离。多个存储器区域中的每个存储器区域中所包括的栅极线当中的位于同一层中的每条栅极线可以延伸穿过每个对应存储器区域的第二狭缝之间的第一连接区域。

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