本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号 CN 119031724 A，申请日期为 2023 年 10 月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：栅极结构；源极结构，该源极结构设置在栅极结构上；沟道结构，该沟道结构穿过栅极结构延伸到源极结构中并且包括沟道层和围绕沟道层的存储器层，存储器层包括暴露沟道层的切割区域；以及狭缝结构，该狭缝结构在沟道结构之间穿过栅极结构延伸到源极结构中，狭缝结构的上表面比切割区域设置在更低的高度处。
