本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件”的专利，公开号CN 119031719 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本公开提供了一种存储器元件。该存储器元件包括基底与第一阶层至第四阶层。第一阶层位于在基底上，包括多个第一晶体管与多个第二晶体管。多个第一晶体管包括多个群组。第二阶层包括复合堆叠结构。第三阶层包括多个局部位线与多个局部源极线。每一个局部位线连接多个第一晶体管的其中之一的第一端。每一个局部源极线连接多个第二晶体管的其中之一的第一端。第四阶层包括多个全局位线与共同源极线。每一个全局位线连接多个群组的其中之一的多个第一晶体管的多个第二端。共同源极线连接每一个第二晶体管的第二端。本发明实施例可以应用于3D AND闪存中。
