本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，象朵创芯微电子（苏州）有限公司申请一项名为“电容结构以及制造方法”的专利，公开号 CN 119031832 A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种电容结构以及制造方法。该结构包括：第一衬底，第一衬底设置有凹槽，凹槽贯穿第一衬底；第一衬底包括导电衬底；第二衬底用于支撑第一衬底；介质层，介质层位于凹槽的底面和侧壁以及第一表面；介质层包括第一介质层和第二介质层；第一介质层位于凹槽的底面和侧壁；第二介质层位于第一表面；第二介质层设置有第一通孔；第一通孔的底面露出第一表面；第一导电层，第一导电层至少位于凹槽内的第一介质层远离第一衬底的一侧；第二导电层包括第一导电部和第二导电部；第一导电部与第一衬底电连接；第二导电部与第一导电层电连接。本公开实施例提供的技术方案实现可对电容结构的电容值的精准控制以及提高了电容品质。
