本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“相变存储器及其制备方法”的专利，公开号 CN 119031825 A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明提供了一种相变存储器及其制备方法，包括：提供基底，基底上形成有第一介质层，第一介质层中形成有纵向贯穿的通孔；依次形成第一金属层和第二金属层填充于通孔内，第二金属层位于第一金属层上；在第二金属层上选择性生长形成纳米线作为下电极；形成第二介质层位于第一介质层上，第二介质层包裹下电极，且第二介质层的顶面高于下电极的顶面；以及，在第二介质层形成凹槽，凹槽的底部显露下电极，在凹槽内填充形成存储层。本发明工艺简单易控制，能够节省制备成本。
