本文源自:金融界
金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司申请一项名为“一种半导体电容器及其制造方法”的专利，公开号CN 119031830 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体电容器及其制造方法，电容器包括：第一半导体功能层；第二半导体功能层，第二半导体功能层和第一半导体功能层设置在同一衬底中；多个层间介质层，堆叠分布在衬底上；金属层，金属层设置在每一层间介质层上，其中一金属层被设置为电容连接层；电容器，设置在电容连接层上；以及多个接触栓塞，接触栓塞的一端连接于第一半导体功能层或第二半导体功能层或电容器，接触栓塞的另一端穿过层间介质层与金属层连接；其中，电容连接层通过接触栓塞和第一半导体功能层连接，且电容连接层通过另一接触栓塞和第二半导体功能层连接。本发明提供了一种半导体电容器及其制造方法，能够提升电容器的电学性能，并降低故障可能性。
