世纪金芯取得一种 PVT 法 SiC 单晶生长坩埚专利，提高结晶质量_

本文源自:金融界

金融界 2024 年 11 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥世纪金芯半导体有限公司取得一项名为“一种 PVT 法 SiC 单晶生长坩埚”的专利，授权公告号 CN 222064715 U，申请日期为 2023 年 12 月。

专利摘要显示，本实用新型涉及 SiC 单晶生长技术领域，尤其为一种 PVT 法 SiC 单晶生长坩埚，包括第一外坩埚、第二外坩埚和内坩埚，所述第二外坩埚顶部开设有控温孔，所述第二外坩埚内壁上成圆周阵列固定设置有第一限位条，所述第二外坩埚内部顶部内壁上固定连接有内坩埚顶座。本实用新型中，通过设置的第一外坩埚、第二外坩埚、冷却管、内坩埚底座和内坩埚顶座，通过控温孔测量结晶处的温度，并进行控制，内坩埚底部与籽晶处需要存在一定的温差，来保证结晶的质量，通过向冷却管内循环通入冷却介质带走热量，可以确保温差，提高结晶质量。