北方华创申请氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池专利，在衬底表面形成超高折射率的氮化硅薄膜_

本文源自:金融界

金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池”的专利，公开号 CN 119040848 A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本申请公开一种氮化硅薄膜及其制备方法、太阳能电池，其中氮化硅薄膜制备方法包括：向工艺腔室通入工艺气体并向所述工艺腔室加载射频功率以产生等离子体，所述工艺气体包含硅元素和氮元素，且所述硅元素和所述氮元素的比例范围为2‑4；在所述工艺腔室内的衬底上沉积形成氮化硅薄膜。本申请能够达到在衬底表面形成超高折射率的氮化硅薄膜的目的。