本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京亦盛精密半导体有限公司申请一项名为“一种用于CVD碳化硅的防沉积炉及使用方法”的专利，公开号CN 119040847 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请涉及一种用于CVD碳化硅的防沉积炉及使用方法，一种用于CVD碳化硅的防沉积炉，包括石墨腔室主体、铺设在石墨腔室主体内壁上的特种石墨箔、石墨螺柱和石墨螺母；石墨螺柱穿过特种石墨箔螺纹连接在石墨腔室主体内壁上的螺纹孔中，石墨螺母螺纹连接在石墨螺柱位于石墨腔室主体内的端部上。一种防沉积炉的使用方法用于上述的防沉积炉包括步骤提供内壁上具有螺纹孔的石墨腔室主体与环绕旋转主轴的防沉积保护套；将特种石墨箔铺在石墨腔室主体的内壁、底板、主轴和防沉积保护套上；将防沉积保护套放置在旋转主轴与石墨底板表面的连接部位，将防扩散石墨棉放入防沉积保护套内并分布在主轴周围。本申请具有延长石墨腔室主体寿命的效果。
