本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市晶相技术有限公司申请一项名为“一种形成缓冲层的方法”的专利，公开号CN 119040833 A，申请日期为2019年12月。
专利摘要显示，本发明提出一种形成缓冲层的方法，包括:通过物理气相沉积设备形成所述缓冲层，所述物理气相沉积设备包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本发明提出的方法，能够提高镀膜的均匀性。
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金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市晶相技术有限公司申请一项名为“一种形成缓冲层的方法”的专利，公开号CN 119040833 A，申请日期为2019年12月。
专利摘要显示，本发明提出一种形成缓冲层的方法，包括:通过物理气相沉积设备形成所述缓冲层，所述物理气相沉积设备包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本发明提出的方法，能够提高镀膜的均匀性。
