本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，昆山协鑫光电材料有限公司申请一项名为“提高多层薄膜堆叠体生长质量的设备、方法及其应用”的专利，公开号CN 119040854 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提高多层薄膜堆叠体生长质量的设备、方法及其应用。该设备包括：生长室以及与生长室配合的第一环境调节单元、第一前驱物供应单元和第二前驱物供应单元、原子层沉积激发装置和物理气相沉积激发装置、第一传送装置，第一环境调节单元用于调节生长室内的温度以及真空度；第一前驱物供应单元用于提供第一前驱物，第二前驱物供应单元用于提供第二前驱物；原子层沉积激发装置用于将第一前驱物转化形成原子层沉积层，物理气相沉积激发装置用于将第二前驱物转化形成物理气相沉积层。本发明将ALD设备与PVD设备集成为一体，可在同一个腔室内同时完成ALD沉积工艺和PVD沉积工艺，能够提高多层薄膜堆叠体生长质量，简化工艺流程。
