本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，杭州欧诺半导体设备有限公司申请一项名为“一种晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管及沉积方法”的专利，公开号 CN 119040857 A，申请日期为 2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管及沉积方法，涉及氮化硅沉积加工技术领域。晶圆加工用低应力氮化硅沉积炉管包括外管模块、内管模块、晶舟、进气模块和排气模块；进气模块包括第一集气管和第二集气管，第一集气管端部设有若干第一排气孔，第二集气管端部设有若干第二排气孔。本发明利用进气模块实现氨气和二氯硅烷混合气体的注入，混合气体经第一集气管端部的第一排气孔和第二集气管端部的第二排气孔注入第三腔体，再沿着径向流入第二腔体，使混合气体在相邻晶圆的缝隙内横向流动形成层流进步使气流稳定性提高，最终氮化硅薄膜的应力均匀性提高。
