本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法”的专利，公开号 CN 119041007 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及碳化硅单晶的制备技术领域，特别涉及一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法。该装置包括安装在碳化硅籽晶上方的散热控制装置包括六条夹角均为 60 °、长度相等的棱，每个棱远离中心的端点之间为向中心凹的圆弧连接，不同棱之间通过向下凹陷的曲面连接，棱所在的部分的厚度最大，散热最慢，相邻两条棱形成的角的平分线的位置的厚度最小，散热最快；控制籽晶的晶向和棱的方向一致，籽晶的晶向和相邻两条棱的角平分线一致。本发明提供了一种用于液相法生长圆柱形碳化硅单晶的装置及方法，能够有效抑制碳化硅晶体在液相生长中生长速率的各向异性，并制备得到圆柱形碳化硅晶体，以降低晶圆加工难度和成本。
