本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种液相法碳化硅单晶的生长装置及生长方法”的专利，公开号 CN 119041010 A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种液相法碳化硅单晶的生长装置及生长方法，属于碳化硅单晶生产技术领域。生长装置包括生长坩埚、固定有籽晶的籽晶杆、用于测定生长原料位置的激光测距仪、活动石墨块、制动装置和封堵石墨；生长坩埚的坩埚盖对应激光测距仪出光孔的正下方设有预留孔；生长坩埚侧壁设有至少四列孔洞，每列孔洞自上而下间隔均匀分布，底部中心位置设有一个孔洞，活动石墨块填充在孔洞内，封堵石墨一端嵌入孔洞，另一端套在生长坩埚外壁；封堵石墨中心设有供制动装置穿过并与活动石墨块连接的开孔，制动装置用于控制活动石墨块相对生长原料前后移动。本发明装置可以实现长晶前的高温线位置确定与调整，可以减弱生长溶液中自循环对流，提高碳的利用率。
