本文源自:金融界
金融界 2024 年 11 月 30 日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法”的专利，公开号 CN 119041005 A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚组件、籽晶组件以及设置在坩埚组件外侧的加热组件和位于加热组件和坩埚组件之间的保温组件；坩埚组件包括坩埚和设置在坩埚下方用于推动和旋转坩埚的推动旋转部件；籽晶组件包括以榫卯结构连接的籽晶托和提拉旋转部件以及用于锁紧榫卯结构的锁紧部件；提拉旋转部件用于提拉和旋转籽晶托；籽晶托的周边设置有用于固定碳化硅原料棒的固定部件。本发明提供的装置可以有效克服由于生长温度较低导致的熔体黏度大、流动性差、溶质传输速率低等严重限制晶体生长速度和质量的问题，满足快速生长大尺寸立方碳化硅单晶的工艺需求。
