本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法”的专利，公开号CN 119041008 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种碳化硅晶体生长用助熔剂、立方碳化硅晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述助熔剂为包含稀土金属、过渡金属和碳的合金：所述稀土金属与所述过渡金属的摩尔比为1:9~9:1。本发明提供的助熔剂可以降低碳化硅晶体的生长的温度，实现更低温下碳化硅晶体的生长，同时可以增加碳在硅熔体中的溶解度，提高晶体生长前期硅熔体中碳的浓度，可实现在更短的时间得到高质量、大尺寸的碳化硅晶体。
