本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种用于液相生长碳化硅晶体的装置及方法”的专利，公开号 CN 119041009 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种用于液相生长碳化硅晶体的装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚组件、籽晶杆组件、位于坩埚组件外侧的发热组件及包裹坩埚组件、籽晶杆组件和发热组件的保温组件；坩埚组件包括由外至内依次设置的第一坩埚和第二坩埚；第一坩埚设置有可拆卸的坩埚盖，坩埚盖上设置有用于固定籽晶杆组件的固定部件；第一坩埚的内底面设置有凸台；第二坩埚的外底部设置有与凸台形状相匹配的凹槽，凹槽中部设置有用于推拉和旋转第二坩埚的推动组件；推动组件依次贯穿第一坩埚、发热组件和保温组件的底部。本发明提供的装置可以确保碳化硅晶体生长过程温度稳定性，同时避免籽晶提拉和旋转过程抖动过大的问题。
