本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种用于气相生长碳化硅单晶的方法及装置”的专利，公开号CN 119041014 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及碳化硅单晶的制备技术领域，特别涉及一种用于气相生长碳化硅单晶的方法及装置。本发明实施例提供一种用于气相生长碳化硅单晶的方法，包括：在生长坩埚外侧，与其内部的碳化硅籽晶对应的位置设置涡轮整流散热器；其中，所述涡轮整流散热器朝向所述籽晶，所述涡轮整流散热器的尺寸大于或等于所述籽晶的尺寸；旋转所述生长坩埚；旋转所述涡轮整流散热器以使其周边的气流汇聚至其中央后向其背向排出。本发明实施例提供了一种用于气相生长碳化硅单晶的方法及装置，能够提供一种优化晶体径向温度均匀性和背向散热均匀性的技术。
