本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京晶格领域半导体有限公司申请一项名为“一种快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的装置及方法”的专利，公开号CN 119041006 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种快速生长大尺寸高质量碳化硅单晶的装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚组件、籽晶组件以及设置在坩埚组件外侧的加热组件和位于加热组件和坩埚组件之间的保温组件；坩埚组件包括坩埚和设置在坩埚下方用于推动和旋转坩埚的推动旋转部件；籽晶组件包括籽晶杆、籽晶托和涡轮散热器；籽晶托包括籽晶托基板和与籽晶托基板固定连接的连接杆；连接杆与籽晶杆通过榫卯结构连接；榫卯结构通过锁紧部件进行锁紧；涡轮散热器包括涡轮轴筒和分布在涡轮轴筒上的涡轮叶片；涡轮轴筒套合在连接杆上；涡轮散热器沿第一方向旋转时加速散热，沿第二方向旋转时抑制散热。本发明提供的装置可实现大尺寸高质量碳化硅单晶的快速生长。
