本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，杭州合盛微电子有限公司申请一项名为“一种适用于高台阶基底的光刻胶涂布方法”的专利，公开号CN 119045285 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请公开了一种适用于高台阶基底的光刻胶涂布方法，包括步骤：S1.将待涂布光刻胶的基底放置于晶圆载台，晶圆载台保持第一转速v 1 ，v 1 ≥1500转/分钟，向基底表面喷淋稀释剂，喷淋时间为t1；S2.将晶圆载台的转速调整至第二转速v2，继续喷淋稀释剂，载台继续旋转时间t2，喷淋的稀释剂体积与步骤S3中喷涂的光刻胶体积之比为1:1～1:5，v2＜500转/分钟；S3.保持v2转速，向步骤S2的基底表面喷涂光刻胶，喷涂后使晶圆载台保持第三转速v3，使光刻胶自流平，v2＜v3；S4.调整晶圆载台的转速至工艺预设转速v4，在基底表面上得到预设厚度的光刻胶层。本发明通过喷淋在基底上的稀释剂改善光刻胶流动性，使得光刻胶层均匀增厚，从而实现高分辨率的光刻工艺。
