本文源自:金融界
金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，上海先楫半导体科技有限公司申请一项名为“基于高性能MCU的非缓存区内存快速动态分配与释放方法、系统及终端”的专利，公开号CN 119046003 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种基于高性能MCU的非缓存区内存快速动态分配与释放方法、系统及终端，通过访问可缓存区的用于描述非缓存区内存分配状态的链表数据，对非缓存区的内存进行分配以及释放，并更新所述链表数据。本发明通过将内存块管理数据结构存放在可缓存区来提高非缓存区内存的分配速度，较传统的内存分配算法分配非缓存区内存，此方法在执行内存分配和释放时几乎不访问非缓存区内存，所以速度上有很大的提升。同时，分配算法简单易于实现，数据结构占用内存小，非常适合在资源紧张的高性能的带有CACHE的MCU嵌入式平台上。
