英诺赛科取得半导体器件测试电路专利,实现对多个被测器件实时检测

英诺赛科取得半导体器件测试电路专利,实现对多个被测器件实时检测
2024年11月30日 20:16 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,英诺赛科(珠海)科技有限公司取得一项名为“一种半导体器件测试电路”的专利,授权公告号 CN 222070760 U,申请日期为 2024 年 3 月。

专利摘要显示,本实用新型公开了一种半导体器件测试电路。半导体器件测试电路包括:功率模块、多个电流采样模块、开关模块和处理模块;功率模块的输出端与被测器件的控制端或被测器件的第一端连接;功率模块配置为按照处理模块输出的调节信号产生动态电压至被测器件;电流采样模块与被测器件的控制端或被测器件的第端连接电流采样模块配置为采集对应被测器件的漏电流信息;开关模块配置为根据处理模块的使能信号依次导通传输通道,以将漏电流信息依次传输至处理模块。本申请的技术方案实现了对多个被测器件进行漏电流信息采集,实现了对多个被测器件的实时检测,减少了电源和功率模块的数量,降低了成本。

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