本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，珠海镓未来科技有限公司取得一项名为“混合型超快恢复MOS管封装结构及对应的电子器件”的专利，授权公告号CN 222071943 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种混合型超快恢复MOS管封装结构，其包括低压MOS管芯片、高压MOS管芯片、二极管芯片。低压MOS管芯片包括低压MOS管衬底、源极、栅极、漏极以及连通装置，高压MOS管芯片包括源极、栅极以及漏极；低压MOS管衬底设置于低压MOS管芯片的第一侧。低压MOS管源极、低压MOS管栅极、低压MOS管漏极分别设置于低压MOS管芯片的第二侧；连通装置的一端与低压MOS管衬底连接，连通装置的另一端与低压MOS管源极连接。高压MOS管栅极和高压MOS管源极设置于高压MOS管芯片的第一侧，高压MOS管源极与低压MOS管衬底连接；高压MOS管漏极设置于高压MOS管芯片的第二侧，高压MOS管栅极与低压MOS管栅极连接，二极管正极与低压MOS管漏极连接，二极管负极与高压MOS管漏极连接。
