本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司取得一项名为“超结MOSFET及半导体器件”的专利，授权公告号 CN 222071951 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种超结MOSFET及半导体器件，包括衬底、第一外延层、沟槽、第二外延层、本征外延层、阱区、源区、栅氧化层以及栅极。第一外延层设置于衬底上，且第一外延层的掺杂类型为第一掺杂类型。沟槽设置于外延层中。第二外延层填充于第一沟槽，且第二外延层的掺杂类型为第二掺杂类型。本征外延层设置于第二外延层和第一外延层之间。阱区设置于第二外延层中，且阱区的掺杂类型为第二掺杂类型。栅氧化层设置于外延层上。栅极设置于栅氧化层上。透过前述配置，保持第一外延层和第二外延层的载流子迁移率和掺杂浓度的稳定，从而降低后续例如退火或氧化等高温制程带来的电性影响。
