本文源自:金融界
金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，安建科技有限公司取得一项名为“一种场效应管器件”的专利，授权公告号CN 222071952 U，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，一种场效应管器件，本实用新型涉及于功率半导体器件，为克服现有的问题，通过在器件内设置第一区域和第二区域，所述的第一区域包括第二导电型掺杂体区、第一源区、第二导电型重掺杂的接触掺杂区以及第一掺杂区和接触孔沟槽；所述的第二区域包括有第二导电型掺杂体区以及第一导电型重掺杂的第二掺杂源区本实用新型提出种屏蔽栅沟槽型场效应管器件结构及制造工艺流程，能够实现更小的元胞尺寸，具有更低的导通电阻和更好的开关阈值均匀性。
