中国振华集团永光电子取得小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构专利,解决现有技术相关问题

中国振华集团永光电子取得小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构专利,解决现有技术相关问题
2024年12月02日 09:55 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)取得一项名为“种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构”的专利,授权公告号CN 222071927 U,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,一种小电流浪涌抑制器陶瓷封装结构,属于半导体元器件封装技术领域。在封装外壳多层陶瓷底座上设计不同的平底凹坑,将功能区与热沉区集成在不同的平底凹坑内,在芯片焊接区、引线键合区以及底部引脚区制作金属化层;采用金属通孔实现多层陶瓷之间的电气连接;芯片焊接区采用下沉设计,热沉区贯穿陶瓷底座本体,用于安装金属热沉,功能区高于热沉顶面,与引线键合区形成高度落差;按电路设计要求,将芯片组装在设定的区域,并进行内引线键合;封装外壳的金属盖板与陶瓷底座的环形边框之间为密封焊接。解决了现有技术存在可靠性低、占用面积大、线路繁琐复杂、散热设计不良等问题。广泛用于各类高可靠性航天、航空、汽车电子等领域。

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